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MRF300AN
Transistor FET RF, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantNXP
Réf. FabricantMRF300AN
Code Commande2917575
Gamme de produitMRF300AN; MRF300BN
Fiche technique
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 53,510 € |
| 5+ | 49,370 € |
| 10+ | 45,230 € |
| 50+ | 42,760 € |
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Informations produit
FabricantNXP
Réf. FabricantMRF300AN
Code Commande2917575
Gamme de produitMRF300AN; MRF300BN
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds133V
Courant de drain Id-
Dissipation de puissance272W
Fréquence d'utilisation Min.1.8MHz
Fréquence d'utilisation Max.250MHz
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Type de canalCanal N
Montage transistorTraversant
Gamme de produitMRF300AN; MRF300BN
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Ces composants haute robustesse sont conçus pour être utilisés dans des applications industrielles, scientifiques et médicales à VSWR élevé et dans des communications HF et VHF, ainsi que pour des diffusions radio et VHF TV, des applications aérospatiales et de radio mobile sous-GHz. Leur conception d'entrée et de sortie inégalée permet une large plage de fréquences d'utilisation de 1,8 à 250 MHz
- Entrée et sortie inégalées permettant l'utilisation d'une large plage de fréquences
- Deux versions de connexion à broches opposées (A et B) pour utiliser dans une configuration push-pull à deux pour des performances à large bande
- Caractérisé de 30 à 50 V
- Convient pour une application linéaire
- Protection ESD intégrée avec une plus grande plage de tension grille-source négative pour un fonctionnement de classe C amélioré
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
133V
Dissipation de puissance
272W
Fréquence d'utilisation Max.
250MHz
Nbre de broches
3Broche(s)
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
MRF300AN; MRF300BN
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Courant de drain Id
-
Fréquence d'utilisation Min.
1.8MHz
Type de boîtier de transistor
TO-247
Température d'utilisation Max.
175°C
Montage transistor
Traversant
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0025
Traçabilité des produits