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Modèle arrêté
Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPHT8N06LT
Code Commande1081458
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds55V
Courant de drain Id7.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.08ohm
Type de boîtier de transistorSOT-223
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)5V
Tension de seuil Vgs Max1.5V
Dissipation de puissance8.3W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
Le PHT8N06LT est un transistor à effet de champ à mode de renforcement, canal N, niveau logique, 55V utilisant la technologie TrenchMOS. Faibles pertes de conduction dues à la faible résistance à l'état passant et résistantes à l'électricité statique grâce aux diodes de protection intégrées. Convient pour une utilisation dans les convertisseurs DC/DC et les applications de commutation d'usage général.
- Température de jonction de 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
7.5A
Type de boîtier de transistor
SOT-223
Tension de test Rds(on)
5V
Dissipation de puissance
8.3W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
55V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.08ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Great Britain
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Great Britain
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00012