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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N6284G
Code Commande2535604
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo100V
Dissipation de puissance Pd160W
Courant de collecteur DC20A
Boîtier de transistor RFTO-3
Nombre de broches2Broche(s)
Gain en courant DC hFE100hFE
Montage transistorTraversant
Température de fonctionnement max..200°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le 2N6284G est un transistor de puissance bipolaire NPN Darlington avec une construction monolithique, des résistances shunt base-émetteur intégrées, conçu pour les applications d'amplification pour un usage général et de commutation basse fréquence.
- Gain courant DC élevé
- Résistance thermique jonction/boîtier de 1.09°C/W
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
160W
Boîtier de transistor RF
TO-3
Gain en courant DC hFE
100hFE
Température de fonctionnement max..
200°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
100V
Courant de collecteur DC
20A
Nombre de broches
2Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour 2N6284G
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.01202
Traçabilité des produits