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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N6388G
Code Commande2535608
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo80V
Dissipation de puissance Pd65W
Courant de collecteur DC10A
Boîtier de transistor RFTO-220
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE20hFE
Montage transistorTraversant
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le 2N6388G est un transistor Darlington PNP Silicone conçu pour les applications d'amplification pour un usage général et une commutation basse fréquence. Construction monolithique avec une résistance de shunt entre base-émetteur intégrée
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
65W
Boîtier de transistor RF
TO-220
Gain en courant DC hFE
20hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
80V
Courant de collecteur DC
10A
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.007106
Traçabilité des produits