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2N7002K
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Montage en surface
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Minimum: 500
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002K
Code Commande2453382RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id300mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON2ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance350mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
Le 2N7002K est un transistor à effet de champ en mode d'amplification canal N doté d'une résistance faible, d'une tension seuil basse, d'une faible capacité d'entrée et d'une vitesse de commutation rapide.
- Faible fuite Entrée/Sortie
- Tension Grille/Source ±20V
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
300mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
350mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour 2N7002K
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000181
Traçabilité des produits