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AFGB40T65SQDN
IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Broche(s)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantAFGB40T65SQDN
Code Commande2981065RL
Fiche technique
Courant Collecteur Continu80A
Courant de collecteur DC80A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.6V
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.6V
Dissipation de puissance238W
Dissipation de puissance Pd238W
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo650V
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
80A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.6V
Dissipation de puissance
238W
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
650V
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Courant de collecteur DC
80A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.6V
Dissipation de puissance Pd
238W
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.15
Traçabilité des produits