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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBD139G
Code Commande9556052
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max80V
Courant Collecteur Continu1.5A
Dissipation de puissance1.25W
Type de boîtier de transistorTO-225AA
Montage transistorTraversant
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition-
Gain de courant DC hFE Min.40hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
Le BD139G est un transistor NPN silicium, puissance moyenne, en plastique conçu pour être utilisé comme amplificateurs audio et pilotes utilisant des circuits complémentaires ou quasi complémentaires.
- Gain courant DC élevé
- Sans halogène
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
1.5A
Type de boîtier de transistor
TO-225AA
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
40hFE
Gamme de produit
-
MSL
-
Tension Collecteur Emetteur Max
80V
Dissipation de puissance
1.25W
Montage transistor
Traversant
Fréquence de transition
-
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BD139G
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00068
Traçabilité des produits