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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBDV64BG
Code Commande9555943
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo100V
Dissipation de puissance Pd125W
Courant de collecteur DC10A
Boîtier de transistor RFTO-247
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE1000hFE
Montage transistorTraversant
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le BDV64BG est un transistor de puissance Darlington bipolaire PNP de -100V conçu pour être utilisé comme dispositifs de sortie dans des applications d'amplificateur polyvalentes complémentaires. Le transistor a une construction monolithique avec une résistance de shunt base-émetteur intégrée.
- Gain courant DC élevé
- Tension Collecteur-Base (Vcbo = 100V)
- Tension Émetteur-Base (Vebo = 5V)
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Dissipation de puissance Pd
125W
Boîtier de transistor RF
TO-247
Gain en courant DC hFE
1000hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
100V
Courant de collecteur DC
10A
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.003856
Traçabilité des produits