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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantEMD4DXV6T1G
Code Commande2724471
Fiche technique
Polarité transistorComplément NPN et PNP
Tension Collecteur Emetteur Max NPN50V
Tension Collecteur Emetteur Max PNP50V
Courant Collecteur Continu100mA
Résistance base R110kohm
Résistance Base-Emetteur R247kohm
Type de boîtier de transistorSOT-563
Nbre de broches6 broches
Montage transistorMontage en surface
Dissipation de puissance500mW
Température d'utilisation Max.150°C
Gain de courant DC hFE Min.80hFE
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Polarité transistor
Complément NPN et PNP
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
50V
Résistance base R1
10kohm
Type de boîtier de transistor
SOT-563
Montage transistor
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
150°C
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
50V
Courant Collecteur Continu
100mA
Résistance Base-Emetteur R2
47kohm
Nbre de broches
6 broches
Dissipation de puissance
500mW
Gain de courant DC hFE Min.
80hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour EMD4DXV6T1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits