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FDS3890
MOSFET double, Canal N, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS3890
Code Commande2101472
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N80V
Tension drain source Vds, Canal P80V
Courant de drain continu Id, Canal N4.7A
Courant de drain continu Id, Canal P4.7A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.034ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.034ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P2W
Dissipation de puissance, Canal P2W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
The FDS3890 is a PowerTrench® dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. This MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate to source voltage
- 4.7A Continuous drain current
- 20A Pulsed drain current
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
80V
Courant de drain continu Id, Canal P
4.7A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.034ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
2W
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
80V
Courant de drain continu Id, Canal N
4.7A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.034ohm
Type de boîtier de transistor
SOIC
Dissipation de puissance Canal P
2W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits