FFSB1065B-F085

Les diodes Schottky carbure de silicium (SiC) utilisent une technologie entièrement nouvelle qui offre des performances de commutation supérieures et une fiabilité supérieure par rapport au silicium. Le courant de récupération inverse, les caractéristiques de commutation indépendantes de la température et les performances thermiques excellentes font du carbure de silicium la prochaine génération de semi-conducteurs de puissance. Les avantages du système incluent une efficacité maximale, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des interférences électromagnétiques, une taille et un coût réduits du système.

• Température de jonction 175°C Max.
• Qualifié AEC−Q101
• Capacité avalanche 200 mJ
• Pas de redressement en inverse/pas de redressement en directe
• Facile à mettre en parallèle
• Capacité de courant de surtension élevée
• Coefficient de température positif

Avertissements

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