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FFSB2065B-F085
Diode Schottky carbure de silicium, EliteSiC, EliteSiC Series, Une, 650 V, 22.8 A, 51 nC
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSB2065B-F085
Code Commande3131449RL
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Options de conditionnement
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| Quantité | |
|---|---|
| 10+ | 4,830 € |
| 100+ | 3,450 € |
| 500+ | 3,040 € |
| 1000+ | 2,840 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSB2065B-F085
Code Commande3131449RL
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Gamme de produitEliteSiC Series
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive650V
Courant direct moyen22.8A
Charge Capacitive Totale51nC
Type de boîtier de diodeTO-263 (D2PAK)
Nbre de broches2 broches
Température de fonctionnement max..175°C
Type de montage de diodeMontage en surface
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Gamme de produit
EliteSiC Series
Tension inverse crête répétitive
650V
Charge Capacitive Totale
51nC
Nbre de broches
2 broches
Type de montage de diode
Montage en surface
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
22.8A
Type de boîtier de diode
TO-263 (D2PAK)
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits