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FFSH5065B-F085
Diode Schottky carbure de silicium, EliteSiC, EliteSiC Series, Une, 650 V, 50 A, 120 nC, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSH5065B-F085
Code Commande3236702
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
556 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 15,840 € |
| 5+ | 15,560 € |
| 10+ | 15,280 € |
| 50+ | 9,730 € |
| 100+ | 9,250 € |
| 250+ | 8,760 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSH5065B-F085
Code Commande3236702
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Gamme de produitEliteSiC Series
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive650V
Courant direct moyen50A
Charge Capacitive Totale120nC
Type de boîtier de diodeTO-247
Nbre de broches2 broches
Température de fonctionnement max..175°C
Type de montage de diodeTraversant
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Gamme de produit
EliteSiC Series
Tension inverse crête répétitive
650V
Charge Capacitive Totale
120nC
Nbre de broches
2 broches
Type de montage de diode
Traversant
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
50A
Type de boîtier de diode
TO-247
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits