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FGD5T120SH
IGBT, FS Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Broche(s)
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| 1+ | 2,260 € |
| 10+ | 1,450 € |
| 100+ | 0,997 € |
| 500+ | 0,792 € |
| 1000+ | 0,700 € |
| 5000+ | 0,673 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFGD5T120SH
Code Commande2565212
Fiche technique
Courant Collecteur Continu10A
Tension de saturation Emetteur Collecteur2.9V
Dissipation de puissance69W
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
- IGBT Technologie Trench FS 1200V, 5A
- Coefficient de température positif
- Commutation à grande vitesse
- Faible tension de saturation: VCE(sat) = 2.9V à Ic=5A
- Impédance d'entrée élevée
- Convient pour la limitation du courant d'appel, l'éclairage et les appareils ménagers
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
10A
Dissipation de puissance
69W
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Température d'utilisation Max.
150°C
Gamme de produit
-
Tension de saturation Emetteur Collecteur
2.9V
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85334010
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000907
Traçabilité des produits