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FGH40T65SH-F155
IGBT, 80 A, 2.1 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Broche(s)
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFGH40T65SH-F155
Code Commande3615775
Fiche technique
Courant Collecteur Continu80A
Tension de saturation Emetteur Collecteur2.1V
Dissipation de puissance268W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
80A
Dissipation de puissance
268W
Type de boîtier de transistor
TO-247
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
-
Tension de saturation Emetteur Collecteur
2.1V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Non
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1