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FJB102TM
Transistor Darlington, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Broche(s)
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| 100+ | 0,683 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFJB102TM
Code Commande2453344
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo100V
Dissipation de puissance Pd80W
Courant de collecteur DC8A
Boîtier de transistor RFTO-263AB
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE200hFE
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le FJB102TM est un transistor Darlington de puissance haute tension NPN qui offre une faible tension de saturation collecteur-émetteur.
- Gain de courant DC élevé (1000 hFE à 4V VCE, CI minimum 3A)
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
80W
Boîtier de transistor RF
TO-263AB
Gain en courant DC hFE
200hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
100V
Courant de collecteur DC
8A
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001312
Traçabilité des produits