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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantH11G1M
Code Commande2453919
Fiche technique
Nbre de voies1 voie
Type de boîtier d'optocoupleurDIP
Nombre de broches6Broche(s)
Courant max.60mA
Tension, isolation7.5kV
CTR Min.500%
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo100V
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The H11G1M is a 6-pin high voltage photodarlington-type optically Coupled Optocoupler consists of gallium-arsenide infrared emitting diode coupled with a silicon Darlington connected phototransistor which has an integral base-emitter resistor to optimize elevated temperature characteristics. It is suitable for CMOS logic interface, telephone ring detector, low input TTL interface and replace pulse transformer.
- 100μA at 80°C Maximum low leakage current
- 850V Maximum working insulation voltage
- 6000V High allowable overvoltage
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Nbre de voies
1 voie
Nombre de broches
6Broche(s)
Tension, isolation
7.5kV
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
100V
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Type de boîtier d'optocoupleur
DIP
Courant max.
60mA
CTR Min.
500%
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000855
Traçabilité des produits