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HUF75639S3ST
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Montage en surface
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| 50+ | 1,810 € |
| 100+ | 1,480 € |
| 250+ | 1,450 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantHUF75639S3ST
Code Commande3368839
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id56A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.025ohm
Type de boîtier de transistorTO-263AB
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance200W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
56A
Type de boîtier de transistor
TO-263AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
200W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.025ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits