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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantKSP13BU
Code Commande2825113
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo30V
Dissipation de puissance Pd625mW
Courant de collecteur DC500mA
Boîtier de transistor RFTO-92
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE10000hFE
Montage transistorTraversant
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
625mW
Boîtier de transistor RF
TO-92
Gain en courant DC hFE
10000hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
30V
Courant de collecteur DC
500mA
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004536
Traçabilité des produits