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Quantité | |
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5000+ | 0,235 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMBRAF3200T3G
Code Commande2824888
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive200V
Courant direct moyen3A
Configuration diodeUne
Type de boîtier de diodeSMAF
Nombre de broches2Broche(s)
Tension directe max840mV
Courant de surtension vers l'avant100A
Température de fonctionnement max..150°C
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
200V
Configuration diode
Une
Nombre de broches
2Broche(s)
Courant de surtension vers l'avant
100A
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
AEC-Q101
Courant direct moyen
3A
Type de boîtier de diode
SMAF
Tension directe max
840mV
Température de fonctionnement max..
150°C
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000091
Traçabilité des produits