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MJ11016G
Transistor Darlington, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Broche(s)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJ11016G
Code Commande9556583
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo120V
Dissipation de puissance Pd200W
Courant de collecteur DC30A
Boîtier de transistor RFTO-3
Nombre de broches2Broche(s)
Gain en courant DC hFE200hFE
Montage transistorTraversant
Température de fonctionnement max..200°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le MJ11016G est un transistor de puissance Darlington bipolaire NPN de 120V conçu pour être utilisé comme dispositifs de sortie dans des applications d'amplificateur polyvalentes complémentaires. Le transistor a une construction monolithique avec une résistance de shunt base-émetteur intégrée.
- Gain courant DC élevé
- Tension Collecteur-Base (Vcbo = 120V)
- Tension Émetteur-Base (Vebo = 5V)
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
200W
Boîtier de transistor RF
TO-3
Gain en courant DC hFE
200hFE
Température de fonctionnement max..
200°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
120V
Courant de collecteur DC
30A
Nombre de broches
2Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.011793