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MJB45H11G
Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 1,920 € |
| 10+ | 0,780 € |
| 100+ | 0,611 € |
| 500+ | 0,570 € |
| 1000+ | 0,524 € |
| 5000+ | 0,514 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
1,92 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJB45H11G
Code Commande2535626
Gamme de produitMJxxxx
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur Emetteur Max80V
Courant Collecteur Continu10A
Dissipation de puissance2W
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition40MHz
Gain de courant DC hFE Min.40hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitMJxxxx
QualificationAEC-Q101
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Courant Collecteur Continu
10A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
40hFE
Gamme de produit
MJxxxx
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
80V
Dissipation de puissance
2W
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
40MHz
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002309
Traçabilité des produits