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MJD112T4G
Transistor Darlington, NPN, 3 Broche(s)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD112T4G
Code Commande2533156
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Nombre de broches3Broche(s)
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le MJD112T4G est un transistor Darlington de puissance bipolaire NPN 2A conçu pour une alimentation et une commutation à usage général telles que des étages de sortie ou de commande dans des applications telles que des régulateurs de commutation, des convertisseurs et des amplificateurs de puissance.
- Fil formé pour une application de montage en surface dans des manchons en plastique
- Construction monolithique avec une résistance de shunt entre base-émetteur intégrée
- Les paires complémentaires simplifient les conceptions
- Remplacement en surface pour les séries TIP110 à TIP117
- Qualification AEC-Q101 et capacité PPAP
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Nombre de broches
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000426
Traçabilité des produits