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MJE5730G
Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Traversant
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJE5730G
Code Commande2845312
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur Emetteur Max300V
Courant Collecteur Continu1A
Dissipation de puissance40W
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition10MHz
Gain de courant DC hFE Min.10hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Courant Collecteur Continu
1A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
10hFE
Gamme de produit
-
MSL
-
Tension Collecteur Emetteur Max
300V
Dissipation de puissance
40W
Montage transistor
Traversant
Fréquence de transition
10MHz
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002041
Traçabilité des produits