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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJF45H11G
Code Commande2535643
Gamme de produitMJxxxx
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur Emetteur Max80V
Courant Collecteur Continu10A
Dissipation de puissance36W
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition40MHz
Gain de courant DC hFE Min.40hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitMJxxxx
Qualification-
MSL-
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Courant Collecteur Continu
10A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
40hFE
Gamme de produit
MJxxxx
MSL
-
Tension Collecteur Emetteur Max
80V
Dissipation de puissance
36W
Montage transistor
Traversant
Fréquence de transition
40MHz
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MJF45H11G
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.003311
Traçabilité des produits