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MJH11017G
Transistor Darlington, PNP, 150 V, 150 W, 15 A, TO-218, 3 Broche(s)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJH11017G
Code Commande2774793
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo150V
Dissipation de puissance Pd150W
Courant de collecteur DC15A
Boîtier de transistor RFTO-218
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE100hFE
Montage transistorTraversant
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Dissipation de puissance Pd
150W
Boîtier de transistor RF
TO-218
Gain en courant DC hFE
100hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
150V
Courant de collecteur DC
15A
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004082
Traçabilité des produits