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MMBF4391LT1G
Transistor JFET, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 broches, 150 °C
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| Quantité | |
|---|---|
| 5+ | 0,420 € |
| 50+ | 0,228 € |
| 100+ | 0,136 € |
| 500+ | 0,130 € |
| 1500+ | 0,110 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBF4391LT1G
Code Commande1431329
Fiche technique
Tension de claquage Source Grille max.30V
Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min50mA
Courant de drain de tension de Grille zéro max.150mA
Tension de coupure Source Grille max.10V
Type de boîtier de transistorSOT-23
Nbre de broches3 broches
Température de fonctionnement max..150°C
Type de transistorJFET
Type de canalCanal N
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Tension de claquage Source Grille max.
30V
Courant de drain de tension de Grille zéro max.
150mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Température de fonctionnement max..
150°C
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min
50mA
Tension de coupure Source Grille max.
10V
Nbre de broches
3 broches
Type de transistor
JFET
Montage transistor
Montage en surface
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000008
Traçabilité des produits