Imprimer la page
MMBFJ177LT1G
Transistor JFET, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 broches, 150 °C
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
50.903 En Stock
3.000 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 5+ | 0,316 € |
| 50+ | 0,218 € |
| 100+ | 0,161 € |
| 500+ | 0,147 € |
| 1500+ | 0,135 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
1,58 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ177LT1G
Code Commande1431338
Fiche technique
Tension de claquage Source Grille max.30V
Courant de drain de tension de Grille zéro max.-20mA
Tension de coupure Source Grille max.2.5V
Type de boîtier de transistorSOT-23
Nbre de broches3 broches
Température d'utilisation Max.150°C
Type de canalCanal P
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le MMBFJ177LT1G est un de commutation JFET, canal P conçu pour les applications de commutation analogique et de hacheur. Faible RDS (On) offrant une plus grande efficacité et prolonge la durée de vie de la batterie Le dispositif est encapsulé dans un boîtier pour montage en surface qui économise de l'espace sur la carte.
- Tension de drain de -25V
- Tension Grille-Source 25V
Spécifications techniques
Tension de claquage Source Grille max.
30V
Tension de coupure Source Grille max.
2.5V
Nbre de broches
3 broches
Type de canal
Canal P
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Courant de drain de tension de Grille zéro max.
-20mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Température d'utilisation Max.
150°C
Montage transistor
Montage en surface
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000008
Traçabilité des produits