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MMBT5550LT1G
Transistor simple bipolaire (BJT), À usage général, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT5550LT1G
Code Commande1653626
Gamme de produitMMBTxxxx
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max140V
Courant Collecteur Continu600mA
Dissipation de puissance225mW
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition-
Gain de courant DC hFE Min.250hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitMMBTxxxx
QualificationAEC-Q101
Aperçu du produit
Le MMBT5550LT1G est un transistor NPN bipolaire conçu pour les applications de commutation à usage général. Il est logé dans le boîtier conçu pour les applications à montage en surface de faible puissance.
- Économisez de l'espace sur la carte
- Qualification AEC-Q101 et capacité PPAP
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
600mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
250hFE
Gamme de produit
MMBTxxxx
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
140V
Dissipation de puissance
225mW
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
-
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004536
Traçabilité des produits