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MMBT6427LT1G
Transistor Darlington, Darlington, NPN, 3 Broche(s)
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| 5+ | 0,140 € |
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| 250+ | 0,0401 € |
| 1000+ | 0,0352 € |
| 10500+ | 0,0195 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT6427LT1G
Code Commande1459110
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Nombre de broches3Broche(s)
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le MMBT6427LT1G est un transistor Darlington bipolaire NPN conçu pour être utilisé dans des applications de commutation telles que les pilotes de frappe, de relais, de solénoïde et de lampe. Il est logé dans le boîtier conçu pour les applications à montage en surface de faible puissance.
- Qualification AEC-Q101 et capacité PPAP
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Nombre de broches
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.09
Traçabilité des produits