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MMBTA64LT1G
Transistor Darlington, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Broche(s)
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| Quantité | |
|---|---|
| 500+ | 0,0449 € |
| 1500+ | 0,0344 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 500
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBTA64LT1G
Code Commande2464053RL
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur Emetteur Max30V
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo30V
Dissipation de puissance Pd225mW
Courant Collecteur Continu500mA
Dissipation de puissance225mW
Courant de collecteur DC500mA
Boîtier de transistor RFSOT-23
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE20000hFE
Montage transistorMontage en surface
Gain de courant DC hFE Min10000hFE
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
30V
Courant Collecteur Continu
500mA
Courant de collecteur DC
500mA
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Collecteur Emetteur Max
30V
Dissipation de puissance Pd
225mW
Dissipation de puissance
225mW
Boîtier de transistor RF
SOT-23
Gain en courant DC hFE
20000hFE
Gain de courant DC hFE Min
10000hFE
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000033
Traçabilité des produits