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Minimum: 500
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMSD701T1G
Code Commande1431102RL
Gamme de produitMMSD7
Fiche technique
Configuration diodeUne
Tension Inverse70V
Courant Direct200mA
Tension, direct à If500mV
Capacitance Diode0.5pF
Type de boîtier de diodeSOD-123
Nbre de broches2 broches
Type de montage de diodeMontage en surface
Température d'utilisation Max.125°C
Gamme de produitMMSD7
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The MMSD701T1G is a Schottky Barrier Diode features extremely low minority carrier lifetime and very low capacitance. The Schottky diode is designed primarily for high efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily available to many other fast switching RF and digital applications.
- 225mW Forward power dissipation
- Low reverse leakage
- Halogen-free
Spécifications techniques
Configuration diode
Une
Courant Direct
200mA
Capacitance Diode
0.5pF
Nbre de broches
2 broches
Température d'utilisation Max.
125°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Inverse
70V
Tension, direct à If
500mV
Type de boîtier de diode
SOD-123
Type de montage de diode
Montage en surface
Gamme de produit
MMSD7
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMSD701T1G
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits