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MUN2212T1G
Transistor num./pré-polarisé bipolaire, Simple NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
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| 5+ | 0,162 € |
| 10+ | 0,107 € |
| 100+ | 0,0667 € |
| 500+ | 0,0395 € |
| 1000+ | 0,0289 € |
| 5000+ | 0,0271 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMUN2212T1G
Code Commande2774839
Fiche technique
Polarité transistorSimple NPN
Tension Collecteur Emetteur Max NPN50V
Tension Collecteur Emetteur Max PNP-
Courant Collecteur Continu100mA
Résistance base R122kohm
Résistance Base-Emetteur R222kohm
Type de boîtier de transistorSC-59
Nbre de broches3 broches
Montage transistorMontage en surface
Dissipation de puissance338mW
Température d'utilisation Max.150°C
Gain de courant DC hFE Min.60hFE
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Polarité transistor
Simple NPN
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
-
Résistance base R1
22kohm
Type de boîtier de transistor
SC-59
Montage transistor
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
150°C
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
50V
Courant Collecteur Continu
100mA
Résistance Base-Emetteur R2
22kohm
Nbre de broches
3 broches
Dissipation de puissance
338mW
Gain de courant DC hFE Min.
60hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MUN2212T1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00007
Traçabilité des produits