Imprimer la page
NDC7003P
MOSFET double, Canal P, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
33.225 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 0,297 € |
| 500+ | 0,234 € |
| 1500+ | 0,199 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
34,70 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDC7003P
Code Commande2454057RL
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain Source Vds, Canal N60V
Tension Drain-Source Vds60V
Tension drain source Vds, Canal P60V
Courant de drain Id340mA
Courant de drain continu Id, Canal N340mA
Courant de drain continu Id, Canal P340mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N1.2ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P1.2ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P960mW
Dissipation de puissance, Canal P960mW
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The NDC7003P is a PowerTrench® dual P-channel MOSFET produced using Trench technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Tension Drain-Source Vds
60V
Courant de drain Id
340mA
Courant de drain continu Id, Canal P
340mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
1.2ohm
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
960mW
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
60V
Tension drain source Vds, Canal P
60V
Courant de drain continu Id, Canal N
340mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
1.2ohm
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Dissipation de puissance Canal P
960mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000033
Traçabilité des produits