Imprimer la page
NDS332P
MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Montage en surface
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | |
|---|---|
| 3000+ | 0,138 € |
| 9000+ | 0,132 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
414,00 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDS332P
Code Commande2438488
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id1A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.3ohm
Type de boîtier de transistorSuperSOT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max600mV
Dissipation de puissance500mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
Le NDS332P est un FET de puissance à mode d'amélioration de niveau logique, canal P, produit à l'aide de la technologie DMOS à haute densité de cellules. Ce procédé à très haute densité est spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état passant. Il est particulièrement adapté aux applications basse tension, telles que les circuits alimentés par batterie où une commutation rapide côté haut débit et une faible perte d'alimentation en ligne sont nécessaires dans un très petit boîtier à montage en surface.
- Spécifications de très faible niveau de driver de grille permettant un fonctionnement direct.
- Conception de boîtier propriétaire utilisant un châssis en cuivre pour des capacités thermiques et électriques supérieures
- Conception avec cellule haute densité pour un faible RDS (on)
- Résistance-ON et capacité maximale de courant continu exceptionnelles
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
1A
Type de boîtier de transistor
SuperSOT
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
500mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.3ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
600mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000454
Traçabilité des produits