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NDS9945

Name: ONSEMI NDS9945
Brand: ONSEMI
SKU: 3616913
Availability: OutOfStock

MOSFET double, Canal N, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.076 ohm

Date/Lot Code

Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.

FabricantONSEMI

Réf. FabricantNDS9945

Code Commande3616913

Fiche technique

Data Sheet

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Disponible sur commande

Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)

Quantité
2500+	0,687 €

Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)

Minimum: 2500

Multiple: 2500

1.717,50 € (sans TVA)

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Informations produit

FabricantONSEMI

Réf. FabricantNDS9945

Code Commande3616913

Fiche technique

Data Sheet

Type de canalCanal N

Tension Drain Source Vds, Canal N60V

Tension drain source Vds, Canal P60V

Courant de drain continu Id, Canal N3.5A

Courant de drain continu Id, Canal P3.5A

Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.076ohm

Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.076ohm

Type de boîtier de transistorSOIC

Nbre de broches8Broche(s)

Dissipation de puissance Canal P1.6W

Dissipation de puissance, Canal P1.6W

Température d'utilisation Max.150°C

Gamme de produit-

Qualification-

MSLMSL 1 - Illimité

SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Aperçu du produit

Le NDS9945 est un transistor à effet de champ, double canal N, 60V produit à l'aide de la technologie DMOS à haute densité de cellules. Ce processus à très haute densité est spécialement conçu pour fournir des performances de commutation supérieures et minimiser la résistance à l'état passant. Il est particulièrement adapté aux applications basse tension telles que la commande de moteur de lecteur de disque, les circuits alimentés par batterie où une commutation rapide, une faible perte de puissance en ligne et une résistance aux transitoires sont nécessaires. Ce produit est recommandé pour un usage général et convient à de nombreuses applications différentes.

Conception avec cellule haute densité pour un faible RDS (on)
Haute puissance et capacité de traitement du courant
Tension Grille-Source ±20V
Résistance thermique 78°C/W, jonction / air ambiant
Résistance thermique 40°C/W jonction/boîtier

Avertissements

La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.

Spécifications techniques

Type de canal

Canal N

Tension drain source Vds, Canal P

60V

Courant de drain continu Id, Canal P

3.5A

Résistance Etat ON Drain Source, Canal P

0.076ohm

Nbre de broches

8Broche(s)

Dissipation de puissance, Canal P

1.6W

Gamme de produit

MSL

MSL 1 - Illimité

Tension Drain Source Vds, Canal N

60V

Courant de drain continu Id, Canal N

3.5A

Résistance Etat ON Drain Source, Canal N

0.076ohm

Type de boîtier de transistor

SOIC

Dissipation de puissance Canal P

1.6W

Température d'utilisation Max.

150°C

Qualification

SVHC

No SVHC (27-Jun-2024)

Documents techniques (1)

Technical Data Sheet EN

Législation et Questions environnementales

Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

N° de tarif :85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme RoHS :Oui

RoHS

Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui

RoHS

SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)

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Certificat de conformité du produit

Poids (kg) :.1

Traçabilité des produits