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NSVBC817-40WT1G
Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Montage en surface
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| 500+ | 0,050 € |
| 1000+ | 0,0412 € |
| 5000+ | 0,0351 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNSVBC817-40WT1G
Code Commande3368652
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max45V
Courant Collecteur Continu500mA
Dissipation de puissance460mW
Type de boîtier de transistorSC-70
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition100MHz
Gain de courant DC hFE Min.40hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
500mA
Type de boîtier de transistor
SC-70
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
40hFE
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
45V
Dissipation de puissance
460mW
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
100MHz
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits