NTBG020N090SC1

Le NTBG020N090SC1 est un MOSFET en carbure de silicium (SiC) EliteSiC qui utilise une toute nouvelle technologie offrant des performances de commutation supérieures et une fiabilité supérieure par rapport au silicium De plus, la faible résistance ON et la taille compacte de la puce garantissent une faible capacité et une faible charge de grille. Par conséquent, les avantages du système comprennent une efficacité maximale, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des interférences électromagnétiques et une taille de système réduite. Les applications incluent les convertisseurs DC-DC, l'onduleur boost, l'onduleur UPS.

• Faible RDSon, charge de grille ultra faible (Qg tot), faible capacité de sortie (Coss)
• 100% testé UIL
• Tension de claquage Drain-Source, 900V min VGS=0V, ID= 1mA, TJ=25°C
• Courant de drain tension de grille nulle de 100µA max. à (TJ = 25°C)
• Tension de seuil de grille 2,6V typ. à VGS = VDS, ID = 20mA, TJ = 25°C
• Résistance drain-source de 20mohm typ. à VGS = 15 V, ID = 60A, TJ = 25°C
• Charge totale de grille de 200nC typique (VGS = 15V, VDS = 720V, ID = 60A, TJ = 25°C)
• Temps de montée 52ns/temps de descente 13ns à VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, RG = 2,5 ohms, charge inductive
• Plage de température de jonction d'utilisation et de stockage de -55 à +175°C
• Boîtier D2PAK-7L