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NTBG045N065SC1
MOSFET en carbure de silicium, EliteSiC, Simple, Canal N, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG045N065SC1
Code Commande3766198
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
264 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 9,050 € |
| 10+ | 7,620 € |
| 50+ | 7,560 € |
| 100+ | 6,700 € |
| 250+ | 6,570 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG045N065SC1
Code Commande3766198
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id62A
Tension Vds max..650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.031ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Nombre de broches7Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max2.8V
Dissipation de puissance242W
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitEliteSiC Series
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
62A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.031ohm
Nombre de broches
7Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
2.8V
Température de fonctionnement max..
175°C
MSL
MSL 1 - Illimité
Type de canal
Canal N
Tension Vds max..
650V
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
242W
Gamme de produit
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits