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| 1000+ | 0,882 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTD6415ANLT4G
Code Commande2724411
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id23A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.044ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance83W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
23A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
83W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.044ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTD6415ANLT4G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000378
Traçabilité des produits