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NTH4L060N090SC1
MOSFET en carbure de silicium, EliteSiC, Simple, Canal N, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L060N090SC1
Code Commande3766207
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 12,270 € |
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| 10+ | 11,480 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L060N090SC1
Code Commande3766207
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id66.9A
Tension Vds max..900V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0531ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Nombre de broches4Broche(s)
Tension de test Rds(on)15V
Tension de seuil Vgs Max2.09V
Dissipation de puissance320W
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
66.9A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0531ohm
Nombre de broches
4Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
2.09V
Température de fonctionnement max..
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Type de canal
Canal N
Tension Vds max..
900V
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
15V
Dissipation de puissance
320W
Gamme de produit
EliteSiC Series
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits