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NTMFS6H836NLT1G
MOSFET de puissance, Canal N, 80 V, 77 A, 5100 µohm, ÁDFN, Montage en surface
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 21 semaine(s)
| Quantité | |
|---|---|
| 1500+ | 0,441 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 1500
Multiple: 1500
661,50 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS6H836NLT1G
Code Commande3616501
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds80V
Courant de drain Id77A
Résistance Drain-Source à l'état-ON5100µohm
Type de boîtier de transistorÁDFN
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance89W
Nbre de broches5Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
77A
Type de boîtier de transistor
ÁDFN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
89W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
80V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
5100µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
5Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits