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NTMT090N65S3HF
MOSFET de puissance, Canal N, 650 V, 36 A, 0.075 ohm, PQFN, Montage en surface
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMT090N65S3HF
Code Commande3677731
Gamme de produitSUPERFET III FRFET
Fiche technique
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| 1+ | 5,500 € |
| 5+ | 5,100 € |
| 10+ | 4,690 € |
| 50+ | 4,460 € |
| 100+ | 4,130 € |
| 250+ | 4,050 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMT090N65S3HF
Code Commande3677731
Gamme de produitSUPERFET III FRFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id36A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.075ohm
Type de boîtier de transistorPQFN
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance272W
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitSUPERFET III FRFET
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
36A
Type de boîtier de transistor
PQFN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
272W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.075ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
SUPERFET III FRFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits