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500+ | 0,600 € |
1000+ | 0,462 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMYS8D0N04CTWG
Code Commande3236760RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id49A
Résistance Rds(on)0.0067ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0081ohm
Type de boîtier de transistorLFPAK
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.5V
Dissipation de puissance38W
Dissipation de puissance Pd38W
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Rds(on)
0.0067ohm
Type de boîtier de transistor
LFPAK
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
38W
Nbre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
49A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0081ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3.5V
Dissipation de puissance Pd
38W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0007
Traçabilité des produits