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NVBG020N120SC1
MOSFET en carbure de silicium, EliteSiC, Simple, Canal N, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG020N120SC1
Code Commande3265484
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
717 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
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| 10+ | 31,440 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG020N120SC1
Code Commande3265484
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id98A
Tension Vds max..1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.02ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Nombre de broches7Broche(s)
Tension de test Rds(on)20V
Tension de seuil Vgs Max2.7V
Dissipation de puissance468W
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le NVBG020N120SC1 est un MOSFET en carbure de silicium (SiC). Les applications sont les chargeurs embarqués automobiles et les convertisseurs DC-DC automobiles pour EV/HEV.
- Qualification AEC-Q101 et capacité PPAP
- Testé à 100% contre les avalanches
- Faible capacité de sortie effective (typ. Coss = 258pF)
- Tension Drain-Source de 1200V à TJ = 25°C
- Courant de drain continu de 98A à TC = 25°C
- Dissipation de puissance 3,7W à TC = 25°C
- La capacité de courant de drain de surtension à impulsion unique est de 807A à TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4,7 ohms.
- Plage de température de jonction d'utilisation et de stockage de -55 à +175°C
- Boîtier D2PAK-7L
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
98A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.02ohm
Nombre de broches
7Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
2.7V
Température de fonctionnement max..
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Type de canal
Canal N
Tension Vds max..
1.2kV
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
20V
Dissipation de puissance
468W
Gamme de produit
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000024
Traçabilité des produits