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NVD5802NT4G-VF01
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 101 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVD5802NT4G-VF01
Code Commande3616612
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id101A
Résistance Drain-Source à l'état-ON4400µohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.5V
Dissipation de puissance93.75W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
101A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
93.75W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
4400µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Vietnam
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Vietnam
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits