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NVMYS014N06CLTWG
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Montage en surface
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Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMYS014N06CLTWG
Code Commande3236768RL
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id36A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.015ohm
Résistance Rds(on)0.0125ohm
Type de boîtier de transistorLFPAK
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance37W
Dissipation de puissance Pd37W
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Normes Qualification AutomobileAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.015ohm
Type de boîtier de transistor
LFPAK
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
37W
Nbre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
36A
Résistance Rds(on)
0.0125ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Dissipation de puissance Pd
37W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0007
Traçabilité des produits