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NVR1P02T1G
MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Montage en surface
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Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVR1P02T1G
Code Commande2724435
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id1A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.148ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.9V
Dissipation de puissance400mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
1A
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
400mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.148ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.9V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NVR1P02T1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000002
Traçabilité des produits