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NVTFS5116PLTAG
MOSFET de puissance, Canal P, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Montage en surface
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| 200+ | 0,519 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVTFS5116PLTAG
Code Commande2533214
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.052ohm
Type de boîtier de transistorWDFN
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance3.2W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
NVTFS5116PLTAG is a single P-channel, power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source breakdown voltage is -60V minimum at (VGS = 0 V, ID = 250µA)
- Gate-to- source leakage current is ±100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Drain-to-source on resistance is 37mohm typical at (VGS = -10V, ID = -7A)
- Input capacitance is 1258pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = -25V)
- Total gate charge is 25nC typical at (VGS = -10V, VDS = -48V, ID = -7A)
- Turn-on delay time is 14ns typical at (VGS = -4.5V, VDS = -48V, ID = -7A)
- Rise time is 68ns typical at (VGS = -4.5V, VDS = -48V, ID = -7A)
- Operating junction temperature range from -55°C to +175°C
- WDFN8 package
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
6A
Type de boîtier de transistor
WDFN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
3.2W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.052ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000072
Traçabilité des produits