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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNZT7053
Code Commande1700708
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo100V
Dissipation de puissance Pd1W
Courant de collecteur DC1.5A
Boîtier de transistor RFSOT-223
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE1000hFE
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le NZT7053 est un transistor NPN Darlington conçu pour les applications nécessitant un gain extrêmement élevé pour des courants de collecteur jusqu'à 1A et une tension de claquage élevée.
- Gamme de température de jonction de -55 à 150°C
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
1W
Boîtier de transistor RF
SOT-223
Gain en courant DC hFE
1000hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
100V
Courant de collecteur DC
1.5A
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000159
Traçabilité des produits